2016年度に始まった「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」では、日本発の窒化ガリウム（GaN）材料を用いてデバイスの省エネルギー化をめざす研究開発を進めてきました。

GaNを使った高効率なパワーデバイスは、日常生活やインフラの省エネ化を、
GaNを使った高効率な光源は、安心?安全な生活?環境を世界に広げます。
GaNには、エネルギーや空間の未来を変えていく、大きな可能性があります。 　

今年は本プロジェクトの中間年。本学の竹内哲也教授も天野浩特別栄誉教授／名古屋大学大学院教授らと共に研究を進めてきました。これまで得られた、世界初などの革新的な研究成果をご紹介するとともに、今後の研究開発の方向性、成果をどのように産業へ応用し、社会実装へ結びつけていくか、議論?討論を行います。