本学理工学部材料機能工学科の竹内哲也教授（本学光デバイス研究センター長）らの研究グループは、青色LEDを発展させた、安全?安心な社会実現に寄与する新しい光デバイス（半導体レーザー）の開発を目指す中で、高効率GaN（窒化ガリウム）レーザーを実現するための新しい基盤技術のひとつを確立し、5月16日、東京で発表しました。

東京都千代田区の学術総合センターで、成果の記者発表会が開かれました
本研究は、文部科学省の「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」の一環。同研究開発では、GaN の結晶に関する研究を進める「中核拠点」、結晶やデバイスの先端的評価を行う「評価基盤領域」、そして、デバイス応用を担う「パワーデバイス?システム領域」、「レーザーデバイス?システム領域」が、それぞれ連携しています。
竹内教授は「レーザーデバイス?システム領域」の代表。発表によると、研究成果のポイントは3点。

1. 現状、50%未満にとどまっているGaNレーザーの効率を大きく改善する「低抵抗?低コストGaNトンネル接合」を実証。
2. 従来の理論では到達し得ない不純物濃度プロファイルが、上記低抵抗化（2×10-4 Ωcm2）に重要であったことを発見。
3. この低抵抗GaNトンネル接合は、生産性の高い（低コストの）有機金属化合物成長装置（MOVPE装置）1種類のみで形成、低コストを実現。

竹内教授は「今後はレーザーの効率を上げたい」と抱負を述べました。

記者発表会に続いて同センター内の一橋講堂で開かれた文部科学省主催のシンポジウム「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発－青からパワーへ　離陸する革新的省エネ技術－」で、竹内教授は成果を詳しく解説しました。

詳細はプレスリリースをご覧ください。

●報道内容の概要　レーザー領域.pdf

●GaN レーザーデバイスにおける高効率電流注入技術の確立.pdf

2014年に赤崎勇終身教授?特別栄誉教授と一緒にノーベル物理学賞を受けた天野浩特別栄誉教授／名古屋大学大学院教授は「中核拠点」代表で、記者発表会では、「pn ダイオードの逆方向リークの起源となる欠陥を正確に同定」と「大口径、厚いGaN 結晶の作製技術確立」について紹介しました。記者からは今後の見通しを聞かれ、省エネルギーでサステナブル（持続可能）な社会構築に寄与する意気込みを強調しました。