理工学研究科材料機能工学専攻修士課程2年の武田邦宏さん（指導教員：岩谷素顕准教授）が11月8～13日に浜松市で開かれたThe 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides(第6回窒化物半導体結晶成長国際会議)で、招待講演に選ばれ講演を行いました。武田さんは同会議でBest Young Scientist Awardを受けた論文「Electrical Characteristics of Extremely High Si-doped AlGaN with Low AlN Molar Fraction（極めて高いSi添加した低AlNモル分率AlGaNの電気伝導特性）」で講演しました。不純物窒化物半導体を低温にしても電子濃度が変わらない特性をAlGaN（アルミニウム?ガリウム?ナイトライド）であらためて確認したり、n型窒化物半導体の電気抵抗率を従来の10分の1以下に低減したりする成果を盛り込んで発表しました。
武田さんは「就活と重なりましたが、3年間の研究の集大成と思って準備しました。研究にはタフなメンタルとあきらめない心と体力が必要だと思いました。大変だったデータまとめなど、先生にはどんな時でも親身になってもらいました」と話しました。